Процедура: B1511241348332

Наименование процедуры

Изготовление макетных образцов IGBT транзисторов

Организатор торгов

ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "СИТРОНИКС СМАРТ ТЕХНОЛОГИИ" (ИНН 7735512625)

Способ проведения

Процедура по закупке с выбором победителя

Торговая секция

Росэлторг.Бизнес, business.roseltorg.ru

Теги процедуры
Теги бета
Функционал находится
в бета-тестировании.
Интерактивные теги, по которым можно осуществлять поиск процедур.
напряжение в образце макетный образец транзистор напряжения изготовление
Попробуйте улучшенный поиск с тегами

Лоты

Лот 1
Прием предложений

Макетные образцы IGBT транзисторов

Теги бета
Функционал находится
в бета-тестировании.
Интерактивные теги, по которым можно осуществлять поиск процедур.
напряжение в образце макетный образец транзистор напряжения изготовление

99 009 863,27

без НДС

Условия оплаты:

По предоплате 100%

Этапы

Публикация извещения

15.11.24 13:48:33 (МСК)

Приём заявок

до 22.11.24 18:00:00 (МСК)

Заказчики

Название организации

ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "СИТРОНИКС СМАРТ ТЕХНОЛОГИИ" (ИНН 7735512625)

Место поставки

г Москва

Информация о товаре, работе, услуге

Наименование

Макетный образец IGBT транзистора с конструкцией Trench SPT+ RC с напряжением 6500 В, в кристальном производстве Ø150

Количество

3

Ед. измерения

Штука

Наименование

Макетный образец IGBT транзистора с конструкцией Trench SPT+ RC с напряжением 4500 В, в кристальном производстве Ø150

Количество

3

Ед. измерения

Штука

Наименование

Макетный образец IGBT транзистора с конструкцией Trench SPT+ RC с напряжением 3300 В, в кристальном производстве Ø150

Количество

3

Ед. измерения

Штука

Наименование

Макетный образец IGBT транзистора с конструкцией SPT+ Trench с напряжением 1700 В, в кристальном производстве Ø150

Количество

3

Ед. измерения

Штука

Наименование

Макетный образец IGBT транзистора с конструкцией SPT+ Trench с напряжением 1200 В, в кристальном производстве Ø150

Количество

3

Ед. измерения

Штука

Наименование

Макетный образец IGBT транзистора с конструкцией SPT+ с напряжением 6500 В, в кристальном производстве Ø150

Количество

3

Ед. измерения

Штука

Наименование

Макетный образец IGBT транзистора с конструкцией SPT+ с напряжением 4500 В, в кристальном производстве Ø150

Количество

3

Ед. измерения

Штука

Наименование

Макетный образец IGBT транзистора с конструкцией SPT+ с напряжением 3300 В, в кристальном производстве Ø150

Количество

3

Ед. измерения

Штука

Наименование

Макетный образец IGBT транзистора с конструкцией Press SPT+ с напряжением 4500 В

Количество

3

Ед. измерения

Штука

Документы

Лот 1

Этапы процедуры

Публикация извещения

15.11.24 13:48:33

Ознакомьтесь с документацией и начинайте подготовку к торгам

Для участия в процедуре нужно:

Прием заявок

Лот 1

Идет прием заявок

Для подачи заявки нужно:

  • Пройти аккредитацию для поставщика в Росэлторг.ID. Перейти

Работа комиссии

Ваша заявка прошла отбор?

Получите банковскую гарантию с комиссией от 1,5% для обеспечения контракта

Получить гарантию

Процедура завершена